1月5日消息，据国外媒体报道，在此前的报道中，英文媒体援引产业链方面的消息报道称，台积电和三星的3nm工艺研发均遭遇关键瓶颈，研发进度也不得不推迟。

台积电和三星的3nm工艺研发遭遇挑战，是否会影响到最终的量产时间也备受关注，但外媒在报道中表示，目前仍有足够的时间在2022年开始量产。

3nm是5nm之后芯片制程工艺上的一个完整的技术跨越，芯片的晶体管密度、速度和能耗，较5nm都将会有明显的提升。

在3nm工艺上，台积电和三星这两大芯片代工商走的是不同的路线，台积电仍将采用成熟的鳍式场效应晶体管技术（FinFET），外媒称三星将采用环绕栅极晶体管技术（GAA）。

台积电CEO魏哲家，在此前的财报分析师电话会议上曾多地谈到3nm工艺，他表示3nm工艺计划2021年风险试产，他们的目标是在2022年下半年大规模量产。这也就意味着目前距离量产还有一年半的时间，他们也需要尽快攻克所遇到的关键瓶颈，以便在今年完成风险试产，进而在明年下半年大规模投产。